本文摘要:
韩国三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(FlashMemory)的厂商,不过其NANDFlash仅次于竞争对手东芝(Toshiba)追上速度难以置信,宣告已领先全球同业、研发出有填充64层的3DFlash产品,且开始展开送来样。 东芝27日公布新闻稿宣告,已研发出有填充64层的3DFlash制程技术,并自今日起领先全球同业开始展开样品销售,且预计将利用昌于7月竣工的四日市工厂新的第2厂房展开生产。
韩国三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(FlashMemory)的厂商,不过其NANDFlash仅次于竞争对手东芝(Toshiba)追上速度难以置信,宣告已领先全球同业、研发出有填充64层的3DFlash产品,且开始展开送来样。 东芝27日公布新闻稿宣告,已研发出有填充64层的3DFlash制程技术,并自今日起领先全球同业开始展开样品销售,且预计将利用昌于7月竣工的四日市工厂新的第2厂房展开生产。


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